国家知识产权局信息数据显现，北京晨晶电子有限公司请求一项名为“一种集成热熔衔接结构的自修正式硅电容器及制作办法”的专利，公开号CN121357903A，请求日期为2025年9月。

  专利摘要显现，本发明供给一种集成热熔衔接结构的自修正式硅电容器及制作办法，电容阵列经过多个电容单元并联、串联或串并混合衔接完成目标电容值；电容单元选用热熔衔接结构衔接，每个电容单元对应独立的热熔衔接结构；热熔衔接结构设置于各电容单元的电极互联途径上，热熔衔接结构由低熔点导电资料构成，熔断电流阈值低于电容单元介质层的击穿电流；当单个电容单元因静电放电导致介质层永久性短路时，流经该电容单元的电流大于熔断电流阈值，触发对应热熔衔接结构熔断，使被击穿电容单元断开阻隔，其他电容单元保持电学衔接及电容功用。本发明可以在产生静电放电击穿后，屏蔽击穿的电容单元，完成硅电容器的自修正功用，提高硅电容器的静电放电耐性。

  天眼查资料显现，北京晨晶电子有限公司，成立于2000年，坐落北京市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制作业为主的企业。企业注册资本1700万人民币。经过天眼查大数据分析，北京晨晶电子有限公司共对外出资了2家企业，参加招投标项目529次，产业线条，此外企业还具有行政许可72个。

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