国家知识产权局信息数据显现，武汉新芯集成电路股份有限公司请求一项名为“半导体器材及其制作办法”的专利，公开号CN121240470A，请求日期为2025年9月。

  专利摘要显现，本发明供给一种半导体器材及其制作办法，半导体器材包含：基底，所述基底中构成有沟槽；导电资料层与介电资料层，顺次替换地构成在所述沟槽内且延伸至所述沟槽外围的所述基底上以构成沟槽电容器，相邻所述导电资料层之间经过所述介电资料层电性阻隔，且所述介电资料层还延伸至所述介电资料层下方的所述导电资料层的侧壁上。本发明的技能计划可以大大下降沟槽电容器的漏电危险。

  天眼查资料显现，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，坐落武汉市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制作业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。经过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外出资了2家企业，参加招投标项目225次，产业线条，此外企业还具有行政许可106个。

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